喷射器开关速度快，关断时间短，耐压为1—1．8kV的IGBT的关断时间约为1．2斗s，600v的IGBT的关断时间约为0．21．ts，约为GTR的10％，接近于功率MOSFET。其开关频率可达100kHz，开关损耗仅为GTR的30％。
IGBT是少子器件，它不但具有非常好的导通特性，而且也具有功率MOSFET的许多特性．如容易驱动，安全工作区宽，峰值电流大，坚固耐用等。一般来讲，喷射器IGBT的开关速度低于功率MOSET，但是IGBT的开关特性非常接近功率MOSFET，而且其导通特性也不受工作电压的影响。由于IGBT内部不存在反向喷射器，故在应用中可以灵活选用外接恢复喷射器，这个特性是优点还是缺点，应根据工作频率、喷射器的价格和电流容量等参数来衡量。
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