喷射器N沟道型IGBT的工作过程为：给栅极一发射极间加阈值电压u。以上的(正)电压，在栅极电极正下方的P层上形成反型层(沟道)，从而开始从发射极电极F的N一层注人电子。浚电子为PNP晶体管的少数载流子，它从集电极衬底P+层开始流人空穴，进行电导率调制(双极工作)，可以降低集电极一发射极问的饱和电压。喷射器IGBT工作时的简化等效电路和电气图形滞号如图l一37所示。在其发射极电极侧形成有NPN寄生晶体管。若NPN寄生晶体管工作，它又变成P+，N一，P一，N+晶闸管。电流继续流动，直到输出侧停止供给电流，此时通过糯出信号已不能进行控制。一般称这种状态为闭锁状态。